| 专利名称 | 碳酸氧化镧基纳米荧光粉体及其制备方法 | 申请号 | CN200810071336.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101619212 | 公开（授权）日 | 2010.01.06 | 申请（专利权）人 | 中国科学院福建物质结构研究所 | 发明（设计）人 | 陈玉标;陈玲;吴立明 | 主分类号 | C09K11/78(2006.01)I | IPC主分类号 | C09K11/78(2006.01)I | 专利有效期 | 碳酸氧化镧基纳米荧光粉体及其制备方法 至碳酸氧化镧基纳米荧光粉体及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种碳酸氧化镧基纳米荧光粉体及其制备方法。本发明采用前 驱体热解的工艺步骤，热解温度范围为400-750℃。本发明中，掺杂稀土离子 部分取代La2O2CO3中的La离子，掺杂后碳酸氧化纳镧基纳米荧光粉体的通式 可以表示为：(La1-xREx)2O2CO3，RE可选用Dy3+或Er3+或Nd3+或Ho3+或Yb3+ 或Tm3+或Tb3+或Eu3+或Sm3+或Pr3+中的一种，x表示掺杂离子的摩尔量，0≤x≤0.2。 该纳米荧光粉体，颗粒细小，具有片状形貌，薄片厚度大部分在10-50nm范 围内。本发明制备的碳酸氧化镧基纳米荧光粉体可应用于显示、照明、防伪、 光电器件等方面及其相关领域中的用途。 |
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