| 专利名称 | 相变存储单元及其制作方法 | 申请号 | CN201110020727.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102593350A | 公开（授权）日 | 2012.07.18 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 刘波;宋志棠;张挺;李莹;钟旻;封松林 | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L45/00(2006.01)I | 专利有效期 | 相变存储单元及其制作方法 至相变存储单元及其制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种相变存储单元及其制作方法，所述相变存储单元除半导体衬底、第一电极层、相变材料层、第二电极层和引出电极之外，还包括用于避免所述相变材料层在化学机械抛光工艺中过度腐蚀的高阻材料层，所述高阻材料层的阻值至少为所述相变材料层的阻值的十倍及以上，可以避免相变材料层在化学机械抛光工艺中过度腐蚀的现象，提高相变存储单元的存储性能和成品率。 |
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