| 专利名称 | 锗悬浮膜式二维光子晶体微腔及制备方法 | 申请号 | CN201110004002.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102590936A | 公开（授权）日 | 2012.07.18 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所;上海新傲科技股份有限公司 | 发明（设计）人 | 武爱民;魏星;薛忠营;杨志峰;甘甫烷;张苗;王曦 | 主分类号 | G02B6/122(2006.01)I | IPC主分类号 | G02B6/122(2006.01)I;G02B6/13(2006.01)I;G02B6/136(2006.01)I | 专利有效期 | 锗悬浮膜式二维光子晶体微腔及制备方法 至锗悬浮膜式二维光子晶体微腔及制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种锗悬浮膜式二维光子晶体微腔，包括：具有埋氧层、且表层为锗悬浮膜层的半导体基底，其中，所述锗悬浮膜层包含光子晶体微腔，所述光子晶体微腔由周期性排列的孔体构成、但部分区域缺失孔体。此外，本发明还提供了该锗悬浮膜式二维光子晶体微腔的制备方法，即先在半导体基底的锗薄膜层中掺杂以形成n型重掺杂层，随后，对重掺杂层进行微机械加工以便在部分区域形成光子晶体微腔，最后，对整片器件进行湿法腐蚀，其中，可通过控制腐蚀时间以控制侧向腐蚀的程度，从而去除光子晶体微腔下的埋氧层实现悬浮膜。本发明的优点在于：能够通过调节悬浮的锗薄膜的应变从而实现锗向直接带隙的转变，并通过光子晶体微腔的增强作用实现发光效率的提高。 |
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