| 专利名称 | 采用选择腐蚀工艺制备绝缘体上硅材料的方法 | 申请号 | CN200910055733.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101615590 | 公开（授权）日 | 2009.12.30 | 申请（专利权）人 | 上海新傲科技股份有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 魏星;王湘;李显元;张苗;王曦;林成鲁 | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/762(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I;H01L21/324(2006.01)I | 专利有效期 | 采用选择腐蚀工艺制备绝缘体上硅材料的方法 至采用选择腐蚀工艺制备绝缘体上硅材料的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种采用选择腐蚀工艺制备绝缘体上硅材料的方法，包括如下步骤：提供 掺杂的单晶硅衬底；在单晶硅衬底表面生长非掺杂的本征单晶硅层；在本征单 晶硅层表面生长器件层；提供支撑衬底；生长绝缘层；将单晶硅衬底和支撑衬 底键合；采用选择性腐蚀工艺除去掺杂的单晶硅衬底；去除本征单晶硅层。本 发明的优点在于，采用了本征单晶硅层作为腐蚀的自停止层，并在后续工艺中 通过热氧化等方法将其除去，因此本发明所提供的技术方案可以用于制备具有 任意电阻率顶层硅的绝缘体上硅衬底。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障