| 专利名称 | 一种碳基场效应晶体管及其制备方法 | 申请号 | CN201110002672.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102593169A | 公开（授权）日 | 2012.07.18 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 金智;麻芃;郭建楠;苏永波;王显泰 | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/51(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/31(2006.01)I;H01L21/285(2006.01)I | 专利有效期 | 一种碳基场效应晶体管及其制备方法 至一种碳基场效应晶体管及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种碳基场效应晶体管及其制备方法，属于纳电子学技术领域。所述碳基场效应晶体管包括半导体衬底、绝缘层、导电通道、源电极、漏电极、栅介质层和栅电极，绝缘层设置于半导体衬底上，导电通道设置于绝缘层上，导电通道由碳基材料构成，源电极和漏电极分别设置于导电通道的两端，栅介质层覆盖在源电极、漏电极以及源电极和漏电极之间的导电通道上，栅电极位于栅介质层之上，栅介质层包括苯并环丁烯有机介质层。本发明解决了原子层沉积法无法在碳基材料形成的导电通道上直接生长高介电常数栅介质薄膜的问题，苯并环丁烯既提供了原子层沉积的成核中心，同时不会引起碳基材料载流子迁移率的显著下降，不会引起器件性能的下降。 |
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