| 专利名称 | 一种触发增强多晶二极管及其制作方法 | 申请号 | CN201210039824.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102593105A | 公开（授权）日 | 2012.07.18 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 姜一波;杜寰 | 主分类号 | H01L23/60(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L23/60(2006.01)I;H01L29/861(2006.01)I;H01L21/329(2006.01)I | 专利有效期 | 一种触发增强多晶二极管及其制作方法 至一种触发增强多晶二极管及其制作方法 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本发明涉及半导体制造领域，具体地说涉及一种触发增强多晶二极管。所述触发增强多晶二极管，包括半导体衬底、设置在半导体衬底上的栅氧层、设置在栅氧上的多晶硅层以及设置在多晶硅层上的多层金属，多层金属包括第一金属引出和第二金属引出；多晶硅层为注入了P型杂质和N型杂质的PIN二级管；PIN二级管的I区为低浓度P-区域或低浓度N-区域；PIN二级管的I区之下设有高浓度注入区域；第一金属引出与PIN二级管的P注入区和高浓度注入区域连接形成阳极，第二金属引出与PIN二级管的N注入区连接形成阴极。本发明还提供一种触发增强多晶二极管的制作方法。本发明具有良好的工艺兼容性及更强的静电保护能力。 |
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