| 专利名称 | 提高后栅工程金属插塞化学机械平坦化工艺均匀性的方法 | 申请号 | CN201110005058.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102592993A | 公开（授权）日 | 2012.07.18 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 杨涛;赵超;李俊峰 | 主分类号 | H01L21/321(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/321(2006.01)I;H01L21/3213(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 专利有效期 | 提高后栅工程金属插塞化学机械平坦化工艺均匀性的方法 至提高后栅工程金属插塞化学机械平坦化工艺均匀性的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种提高后栅工程金属插塞化学机械平坦化工艺均匀性的方法，在进行用于形成金属插塞的化学机械平坦化工艺之前，采用一步金属刻蚀工艺，使得通孔区与非通孔区的金属层的高度落差大幅减小，因此，较小的高度落差对后续的化学机械平坦化工艺过程的影响也会大大减轻，从而在研磨过程中，高度落差不会传递至随后形成的金属插塞上，极大地减小金属插塞顶部的凹陷，得到了平坦的金属插塞顶部，从而提高器件电学性能和成品率。 |
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