| 专利名称 | 一种少层石墨烯的制备方法 | 申请号 | CN201210049772.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102583351A | 公开（授权）日 | 2012.07.18 | 申请（专利权）人 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 发明（设计）人 | 周明;秦禄昌;崔平;唐捷 | 主分类号 | C01B31/04(2006.01)I | IPC主分类号 | C01B31/04(2006.01)I | 专利有效期 | 一种少层石墨烯的制备方法 至一种少层石墨烯的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种少层石墨烯的制备方法，该方法结合液相插层技术与合微波辐照技术，首先将石墨放入含四烷基取代季胺阳离子与OH-的溶液中进行超声处理，使四烷基取代季胺阳离子插入到石墨层间形成插层，引起石墨层间距增大；然后将处理后的石墨进行微波辐照，使石墨插层发生分解，产生大量气体，进一步增大石墨层间距；接着将处理后的石墨分散在低极性有机溶剂中进行超声处理，使石墨发生剥离产生石墨烯；最后进行离心处理，处理后取出上层液体即为少层石墨烯分散液。本发明操作简单、耗时少、成本低、石墨烯产率高、重复性好、易于实现工业化大规模生产，制备得到的少层石墨烯层数在10层以下，具有缺陷少、含氧基团少、电导率高的优点。 |
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