| 专利名称 | 一种基于氧化锌材料的电阻式RAM存储单元及制备方法 | 申请号 | CN201010619223.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102136487A | 公开（授权）日 | 2011.07.27 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 李效民;张锋;于伟东;高相东;何邕;甘小燕;吴亮 | 主分类号 | H01L27/24(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L27/24(2006.01)I;H01L45/00(2006.01)I | 专利有效期 | 一种基于氧化锌材料的电阻式RAM存储单元及制备方法 至一种基于氧化锌材料的电阻式RAM存储单元及制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种基于氧化锌材料的新型电阻式RAM(随机存储器)存储单元及制备方法。所述的存储单元包括开关元件和存储元件，特征在于开关元件以透明导电薄膜为底电极，以ZnO薄膜为中间层，以Pt、Au、Ir等功函数较高金属(M)为顶电极，形成FTO(ITO)/ZnO/M的结构。存储元件的中间层采用与开关元件相同的ZnO薄膜，以M为底电极和顶电极，形成M/ZnO/M的结构。两个中间层ZnO采用相同的氧等离子体辅助激光脉冲沉积制备工艺，制备出电学性能良好的ZnO薄膜。最大优点是获得了性能稳定的开关元件，并且开关元件和存储元件采用相同的制备工艺和薄膜材料，大大简化了工艺流程，获得了可实现稳定可逆电阻转变的并可避免误读操作的存储单元。 |
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