| 专利名称 | 静电防护器件及其制造工艺 | 申请号 | CN201210102462.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102623452A | 公开（授权）日 | 2012.08.01 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 姜一波;杜寰 | 主分类号 | H01L27/02(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L27/02(2006.01)I;H02H9/04(2006.01)I | 专利有效期 | 静电防护器件及其制造工艺 至静电防护器件及其制造工艺 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本申请涉及半导体制造领域，公开了一种静电防护器件，包括可控硅器件、MOS管器件；所述可控硅器件与所述MOS管器件串联。本申请还公开了一种静电防护器件的制造工艺，包括在半导体基底上制成可控硅器件；在所述可控硅器件附近制成MOS管；将可控硅器件与MOS管器件串联。所述静电防护器件兼有可控硅极小寄生电容和MOS器件高维持电压的特点可应用在高压射频电子电路或器件的静电保护等方面。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障