| 专利名称 | 一种制备SiC纳米线阵列的方法 | 申请号 | CN200910089510.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101613881 | 公开（授权）日 | 2009.12.30 | 申请（专利权）人 | 中国科学院理化技术研究所 | 发明（设计）人 | 师文生;刘海龙;佘广为;凌世婷 | 主分类号 | C30B29/36(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B29/36(2006.01)I;C30B29/60(2006.01)I;C30B1/10(2006.01)I | 专利有效期 | 一种制备SiC纳米线阵列的方法 至一种制备SiC纳米线阵列的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明属于半导体纳米线阵列的制备技术领域。特别涉及一种制备SiC 纳米线阵列的方法。本发明的SiC纳米线阵列制备方法包括以下过程：用化 学刻蚀的方法在单晶硅基片表面制备硅纳米线阵列，将表面有硅纳米线阵列 的硅基片放置在盛有石墨粉的石墨坩埚中，再将石墨坩埚放入管式炉中加热， 在加热过程中，通入惰性气体作为保护气，最终得到SiC纳米线阵列。本发 明的制备SiC纳米线阵列方法简单易行，所制备的SiC纳米线阵列在场发射 及高温、高频、大功率的半导体器件方面具有巨大的潜在应用价值。 |
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