| 专利名称 | 一种铝掺杂α相氮化硅(α-Si3N4)基材料及其制备方法 | 申请号 | CN200910054967.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101613856 | 公开（授权）日 | 2009.12.30 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 祝迎春;刘真 | 主分类号 | C23C16/30(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C16/30(2006.01)I;C23C16/44(2006.01)I;C09K11/80(2006.01)I | 专利有效期 | 一种铝掺杂α相氮化硅(α-Si3N4)基材料及其制备方法 至一种铝掺杂α相氮化硅(α-Si3N4)基材料及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种铝掺杂α相氮化硅(α-Si3N4)基材料和进一步掺杂稀土元素铕的铝掺杂 α相氮化硅(α-Si3N4)基材料，及其制备方法。本发明的铝掺杂α相氮化硅(α-Si3N4)基材料 光学带宽约为2.64eV，相比于纯净氮化硅其光学带宽大大降低，使得它在半导体光电器 件方面的应用成为可能；掺杂稀土元素Eu的铝掺杂α相氮化硅(α-Si3N4)基材料呈现出以 582nm为中心、半高宽为100nm的黄-橙色发射光谱，具有优良的发光性能，使得它在半 导体固态照明的应用方面的应用成为可能。 |
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