| 专利名称 | 一种具有缓冲层的SOI超结LDMOS器件 | 申请号 | CN201010619509.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102130176A | 公开（授权）日 | 2011.07.20 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所;上海新傲科技股份有限公司 | 发明（设计）人 | 程新红;何大伟;王中健;徐大伟;夏超;宋朝瑞;俞跃辉 | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/36(2006.01)I | 专利有效期 | 一种具有缓冲层的SOI超结LDMOS器件 至一种具有缓冲层的SOI超结LDMOS器件 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种具有缓冲层的SOI超结LDMOS器件，该器件包括SOI衬底和位于所述SOI衬底之上的有源区；所述有源区包括：栅区、分别位于所述栅区两侧的源区和漏区、位于所述栅区之下的体区、位于所述体区与所述漏区之间的漂移区；所述漂移区包括横向超结结构和位于所述横向超结结构上方的缓冲层。本发明将缓冲层设于漂移区上方，可以缓解衬底辅助耗尽效应对SOI超结LDMOS漂移区电荷平衡的影响，提高器件的击穿电压，并且使制作缓冲层时的掺杂深度大幅变浅，不仅降低了杂质的注入能量，而且更容易实现漂移区杂质的均匀分布，工艺难度大大降低。 |
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