| 专利名称 | 高可靠SOI LDMOS功率器件 | 申请号 | CN201210103676.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102623506A | 公开（授权）日 | 2012.08.01 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 姜一波;杜寰 | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 专利有效期 | 高可靠SOI LDMOS功率器件 至高可靠SOI LDMOS功率器件 | 法律状态 | 专利申请权、专利权的转移 | 说明书摘要 | 公开了一种高可靠SOI?LDMOS功率器件，包括：在SOI?LDMOS功率器件的顶层硅中，注入有高浓度的埋层和接触注入区，且埋层与接触注入区连接；通过所述埋层可充分抽取SOI?LDMOS功率器件中SOI?LDMOS栅附近的载流子，并经所述接触注入区引出，控制SOI?LDMOS栅附近的电位。本发明提供的高可靠SOI?LDMOS功率器件，在SOI?LDMOS的顶层硅中，制成高浓度的埋层并通过接触注入区引出，利用此埋层充分抽取SOI?LDMOS器件SOI?LDMOS栅附近的载流子，控制SOI?LDMOS栅附近电位，避免由噪声电流或者碰撞电流引起的寄生晶体管开启而导致的LDMOS器件损伤或烧毁，同时抬升了LDMOS器件在静电冲击下的维持电压，扩展了LDMOS功率器件的电学安全工作区域，增强了器件可靠性。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障