| 专利名称 | 半导体器件及其制造方法 | 申请号 | CN201110029212.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102623487A | 公开（授权）日 | 2012.08.01 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 王桂磊;尹海洲 | 主分类号 | H01L29/16(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/16(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/41(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 专利有效期 | 半导体器件及其制造方法 至半导体器件及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种半导体器件，包括：衬底；浅沟槽隔离，嵌于所述衬底中，且形成至少一个开口区；沟道区，位于所述开口区内；栅堆叠，包括栅介质层和栅电极层，位于所述沟道区上方；源漏区，位于所述沟道区的两侧，包括为所述沟道区提供应变的应力层；其中，所述浅沟槽隔离和所述应力层之间具有衬垫层。在STI和源漏区应力层中间插入一个与源漏区应力层材质相同或相近的衬垫层作为外延生长的晶种层或成核层，借此而消除了在源漏应变工程中STI边缘效应，也即消除了STI与源漏区应力层之间的空隙，防止了源漏应变对沟道应力的减小，提高了MOS器件的载流子迁移率从而提高了器件的驱动能力。 |
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