| 专利名称 | 一种等效高斯光束远场辐射分布参数的求解方法 | 申请号 | CN201210026114.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102622511A | 公开（授权）日 | 2012.08.01 | 申请（专利权）人 | 中国科学院光电技术研究所 | 发明（设计）人 | 周磊;任戈;谭毅;田俊林 | 主分类号 | G06F19/00(2011.01)I | IPC主分类号 | G06F19/00(2011.01)I | 专利有效期 | 一种等效高斯光束远场辐射分布参数的求解方法 至一种等效高斯光束远场辐射分布参数的求解方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种等效高斯光束远场辐射分布参数的求解方法，步骤为：已知实际系统中目标平面内高斯光束远场辐射分布参数Ω，光束半高宽，目标尺寸形状和反射率；根据实际光束瞄准系统建立仿真模型；在仿真模型中，控制光束扫描目标，并记录扫描坐标和回波信号；根据扫描坐标和回波信号的对应关系，结合最小二乘估计准则，求出该目标尺寸下等效高斯光束远场辐射分布参数改变目标尺寸a，解出对应的利用多项式曲线拟合技术求出相对a的函数关系。本发明提出了等效高斯光束远场辐射分布参数的概念，给出了特定的光束半高宽下，和a的函数关系；解决了基于回波信号的瞄准系统中对不同尺寸目标的光束瞄准问题，大大提高了光束瞄准误差估计精度。 |
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