| 专利名称 | 一种制备混合晶向半导体衬底的方法 | 申请号 | CN200910053504.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101609800 | 公开（授权）日 | 2009.12.23 | 申请（专利权）人 | 上海新傲科技股份有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 魏星;王湘;李显元;张苗;王曦;林成鲁 | 主分类号 | H01L21/31(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/31(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I;H01L21/84(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 专利有效期 | 一种制备混合晶向半导体衬底的方法 至一种制备混合晶向半导体衬底的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种制备混合晶向半导体衬底的方法，包括如下步骤：提供键合衬底，所 述键合衬底包括剥离层、第一半导体层以及腐蚀停止层；提供第二半导体支撑 衬底，所述第二半导体支撑衬底表面具有第二晶面；在第一半导体层或者第二 半导体支撑衬底表面形成媒介层，或者在第一半导体层和第二半导体支撑衬底 的表面均形成媒介层；将第二半导体支撑衬底与键合衬底键合；采用选择性腐 蚀工艺除去剥离层和腐蚀停止层；对键合后衬底进行退火。本发明的优点在于， 利用高温退火消除键合界面的由亲水键合导致的自然氧化层的办法，能够制备 出全局混合晶向体硅衬底，并且该全局混合晶向半导体衬底的表面半导体层具 有良好的厚度均匀性。 |
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