一种SiO2减反射薄膜及其制备方法

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专利名称 一种SiO2减反射薄膜及其制备方法 申请号 CN201210097416.0 专利类型 发明专利 公开(公告)号 CN102617045A 公开(授权)日 2012.08.01 申请(专利权)人 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 发明(设计)人 宋伟杰;兰品军;李佳;鲁越晖;杨晔;谭瑞琴 主分类号 C03C17/23(2006.01)I IPC主分类号 C03C17/23(2006.01)I 专利有效期 一种SiO2减反射薄膜及其制备方法 至一种SiO2减反射薄膜及其制备方法 法律状态 实质审查的生效 说明书摘要 本发明公开了一种SiO2减反射薄膜,包括光伏玻璃衬底以及依次涂覆在光伏玻璃衬底上的10nm-30nm厚的第一SiO2致密层、50nm-300nm厚的SiO2纳米空心颗粒层和填充在SiO2纳米空心颗粒层中SiO2纳米空心颗粒之间孔隙中的第二SiO2致密物;第二SiO2致密物的填充总量等同于5nm-30nm厚的第一SiO2致密层中SiO2致密物的量。该薄膜具有优良的减反射性能、耐擦拭性能和耐久性。本发明还公开了该制备方法:在光伏玻璃上制备第一SiO2致密层,再制备SiO2纳米空心颗粒层并填充第二SiO2致密物,经高温处理得到SiO2减反射薄膜。该方法操作简单,适合工业化大规模应用。

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