| 专利名称 | 半导体器件及其制作方法 | 申请号 | CN201010034166.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102130063A | 公开（授权）日 | 2011.07.20 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 钟汇才;梁擎擎 | 主分类号 | H01L21/8242(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/8242(2006.01)I;H01L27/108(2006.01)I | 专利有效期 | 半导体器件及其制作方法 至半导体器件及其制作方法 | 法律状态 | 专利申请权、专利权的转移 | 说明书摘要 | 本申请公开了一种半导体器件及其制作方法。该方法包括：提供第一半导体衬底，该第一半导体衬底包括彼此相对的第一表面和第二表面；在第二表面上形成沟槽，并通过该沟槽制作电容器；提供第二半导体衬底，使其从第一半导体衬底的第二表面一侧与第一半导体衬底相接合；以及在第一表面上形成该半导体器件的其他部件。根据本发明的方法，能够容易地在半导体衬底中形成沟槽，从而制作大电容的电容器。 |
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