| 专利名称 | 基于金锡合金键合的圆片级低温封装方法 | 申请号 | CN201010601975.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102130026A | 公开（授权）日 | 2011.07.20 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 毛旭;杨晋玲;杨富华 | 主分类号 | H01L21/60(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/60(2006.01)I;H01L21/50(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I | 专利有效期 | 基于金锡合金键合的圆片级低温封装方法 至基于金锡合金键合的圆片级低温封装方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种基于金锡合金键合的圆片级低温封装方法，通过选用富锡Sn合金成分Sn＝54％-71％，设计金锡厚度分别小于2.1μm和0.7μm，在一定压强、温度和时间内进行了金锡合金键合，形成了以具有高维氏硬度的AuSn2相(即ε相)为主的中间层，实现了低成本、高键合强度的圆片级低温封装方法。键合温度在140-310℃范围内，可实现高达20-64MPa的键合强度。这一低成本、高键合强度的圆片级低温封装方法可应用于任意基片上器件的封装。 |
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