| 专利名称 | 一种具有缓冲层的SOI超结LDMOS器件制作方法 | 申请号 | CN201010619508.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102130013A | 公开（授权）日 | 2011.07.20 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所;上海新傲科技股份有限公司 | 发明（设计）人 | 程新红;何大伟;王中健;徐大伟;夏超;宋朝瑞;俞跃辉 | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I | 专利有效期 | 一种具有缓冲层的SOI超结LDMOS器件制作方法 至一种具有缓冲层的SOI超结LDMOS器件制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种具有缓冲层的SOI超结LDMOS器件制作方法，该方法首先对SOI衬底的顶层硅进行N型离子注入，使整个漂移区下方成为N型区域；然后对所述漂移区进行浅掺杂N型离子注入，在漂移区的表层形成浅掺杂N型缓冲层；之后通过版图对所形成的N型区域进行P型离子注入，在所述N型区域中形成等间隔的多个横向P型柱区，将所述N型区域划分为多个横向N型柱区，交替排列的P型柱区和N型柱区组成横向超结结构。本发明将缓冲层设于漂移区上方，可以抑制衬底辅助耗尽效应对SOI超结LDMOS漂移区电荷平衡的影响，提高了器件的击穿电压，并且通过巧妙地调整N/P离子注入的步骤，设计版图和离子注入浓度等，进一步简化了工艺，降低了生产成本。 |
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