| 专利名称 | 低发散角全布拉格反射波导半导体激光器阵列 | 申请号 | CN201210080117.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102611002A | 公开（授权）日 | 2012.07.25 | 申请（专利权）人 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 发明（设计）人 | 杨晔;佟存柱;汪丽杰;王立军;曾玉刚;刘云 | 主分类号 | H01S5/22(2006.01)I | IPC主分类号 | H01S5/22(2006.01)I | 专利有效期 | 低发散角全布拉格反射波导半导体激光器阵列 至低发散角全布拉格反射波导半导体激光器阵列 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 低发散角全布拉格反射波导半导体激光器阵列，属于半导体激光器领域，为了降低纵向和横向发散角，以改善激光器的光束质量，获得高亮度激光输出，本发明设计了低发散角全布拉格反射波导半导体激光器阵列，该阵列纵向结构从下至上依次为：N型衬底、N型限制层、N型布拉格反射波导、有源区、P型布拉格反射波导、P型限制层、P型盖层，所述纵向结构中N型布拉格反射波导和P型布拉格反射波导分别至少由一对高、低折射率材料周期生长组成，该阵列横向结构包括电流注入区和其两侧的横向布拉格反射波导，所述两侧的横向布拉格反射波导分别至少由一对高、低脊形结构周期排列组成，所述低脊形部分紧挨电流注入区。本发明实现了高亮度激光输出。 |
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