| 专利名称 | 一种非挥发性存储器件的编程方法 | 申请号 | CN201110022638.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102610277A | 公开（授权）日 | 2012.07.25 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 霍宗亮;姜丹丹;刘明;张满红;王琴;刘璟;李冬梅 | 主分类号 | G11C16/10(2006.01)I | IPC主分类号 | G11C16/10(2006.01)I | 专利有效期 | 一种非挥发性存储器件的编程方法 至一种非挥发性存储器件的编程方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种非挥发性存储器件的编程方法，属于非挥发性存储器技术领域。所述存储器件为堆栈栅非挥发性存储器件时，所述方法包括如下步骤：在编程时刻前，于非挥发性存储器件的漏极和/或源极，施加预定脉冲宽度和电压的负脉冲；于编程时刻，在栅极和漏极,或栅极和源极施加脉冲宽度相同的正向同步脉冲。本发明通过扩大热电子注入编程时电子注入区域的范围，增加注入电子的数量，从而提高电子的注入效率，使得存储窗口增大。同时，扩大的注入范围，可以有效降低电子窄范围注入时对隧穿介质层带来的损坏，提高非挥发性存储器的可靠性，延长电荷在存储层中的保持时间以及增加存储其编程/擦除的次数。 |
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