| 专利名称 | 用于相变存储器的Si-Sb-Te基硫族化合物相变材料 | 申请号 | CN201110021620.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102610745A | 公开（授权）日 | 2012.07.25 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 周夕淋;吴良才;宋志棠;饶峰;彭程;朱敏 | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L45/00(2006.01)I | 专利有效期 | 用于相变存储器的Si-Sb-Te基硫族化合物相变材料 至用于相变存储器的Si-Sb-Te基硫族化合物相变材料 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种用于相变存储器的Si-Sb-Te基硫族化合物相变材料，属微电子技术领域。该种材料具有高热稳定性和高结晶速度，其组分通式为(SiaSbbTec)1-yMy，其中元素M是氮元素或氧元素或它们的混合物；在SiaSbbTec中，Si的含量a为10-25%原子百分比，Sb和Te的含量的原子百分比的比值为1.7≤(b/c)≤2.0；掺杂元素M的含量y是0-25%原子百分比。该材料在电学脉冲的作用下，可在非晶态（高阻态）和晶态（低阻态）之间进行可逆转变，从而实现信息存储。该材料与传统的Ge2Sb2Te5相比，具有较高的结晶温度、较高的热稳定性和更高的晶态电阻率，使用该材料作为信息存储介质可以大大提高器件的数据保持能力，同时能保持较快的操作速度和降低的写操作功耗，提高器件的可靠性。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障