| 专利名称 | 高可靠LDMOS功率器件 | 申请号 | CN201210103642.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102610649A | 公开（授权）日 | 2012.07.25 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 姜一波;杜寰 | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 专利有效期 | 高可靠LDMOS功率器件 至高可靠LDMOS功率器件 | 法律状态 | 专利申请权、专利权的转移 | 说明书摘要 | 公开了一种高可靠LDMOS功率器件，包括：体接触区及隔离区；所述隔离区设置在LDMOS功率器件的漏端注入区和所述体接触区之间；所述隔离区设置在LDMOS功率器件的漂移区和所述体接触区之间；通过体引出引出并抽取所述体接触区附近载流子，控制所述体接触区附近电位。本发明提供的高可靠LDMOS功率器件，通过STI隔离或者FOX隔离等手段，在LDMOS功率器件的漏端注入区或漂移区附近形成体接触区域并通过体引出引出并抽取体接触区附近载流子，控制体接触区附近电位，即避免了由噪声电流或者碰撞电流引起的寄生晶体管开启而导致的LDMOS器件损伤或烧毁，又扩展了LDMOS功率器件的电学安全工作区域，增强了器件可靠性。 |
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