| 专利名称 | 高效率非对称光场分布垂直腔面发射半导体激光器 | 申请号 | CN201210079120.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102611000A | 公开（授权）日 | 2012.07.25 | 申请（专利权）人 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 发明（设计）人 | 张建伟;宁永强;秦莉;刘云;曾玉刚;王立军 | 主分类号 | H01S5/183(2006.01)I | IPC主分类号 | H01S5/183(2006.01)I;H01S5/323(2006.01)I | 专利有效期 | 高效率非对称光场分布垂直腔面发射半导体激光器 至高效率非对称光场分布垂直腔面发射半导体激光器 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 高效率非对称光场分布垂直腔面发射半导体激光器，属于半导体激光器技术领域，为解决现有的垂直腔面发射半导体激光器光场在P型DBR一侧的高损耗、激光器的转换效率受到限制的问题，本发明提供高效率非对称光场分布的垂直腔面发射半导体激光器，该激光器由下至上依次为N面电极、N型衬底、N型缓冲层、N型分段DBR、有源区、氧化限制层、P型分段DBR、P型盖层和P面电极；所述N型分段DBR在靠近有源区的前6-8对N型DBR的高、低折射率材料对的折射率差小于后面的高、低折射率材料对的折射率差；P型分段DBR在靠近有源区的前6-8对P型DBR的高、低折射率材料对的折射率差大于后面的高、低折射率材料对的折射率差。本发明电光转换效率高具有广泛的应用前景。 |
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