| 专利名称 | 制备双埋层绝缘体上硅衬底的方法 | 申请号 | CN200910053503.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101604657 | 公开（授权）日 | 2009.12.16 | 申请（专利权）人 | 上海新傲科技股份有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 魏星;王湘;李显元;张苗;王曦;林成鲁 | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/762(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I;H01L21/78(2006.01)I | 专利有效期 | 制备双埋层绝缘体上硅衬底的方法 至制备双埋层绝缘体上硅衬底的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种制备双埋层绝缘体上硅衬底的方法，包括如下步骤：提供单晶硅支撑 衬底；将第一离子注入单晶硅支撑衬底中；退火，从而在单晶硅支撑衬底中形 成第一绝缘层以及第一单晶硅层；提供第一键合衬底；在第一键合衬底表的表 面形成第二单晶硅层；在第二单晶硅层表面形成第二绝缘层；以第二绝缘层远 离第一键合衬底的表面以及第一单晶硅层远离单晶硅支撑衬底的表面为键合 面，进行键合操作；移除第一键合衬底。本发明的优点在于，采用注入工艺形 成第一单晶硅层，从而能够避免边缘碎裂的问题，并且注入工艺可以减少机械 抛光和键合的次数，从而提高了材料厚度的均匀性和晶向的对准精度。 |
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