| 专利名称 | 掺碳钇铝石榴石晶体及其两步法制备 | 申请号 | CN200910054969.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101603205 | 公开（授权）日 | 2009.12.16 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 李红军;杨新波;徐军;苏良碧 | 主分类号 | C30B29/28(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B29/28(2006.01)I;C30B11/00(2006.01)I;C30B31/06(2006.01)I | 专利有效期 | 掺碳钇铝石榴石晶体及其两步法制备 至掺碳钇铝石榴石晶体及其两步法制备 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及激光晶体技术领域，公开了一种掺碳钇铝石榴石晶体及其两步法制备。本 发明的掺碳钇铝石榴石晶体是在钇铝石榴石晶体中掺入碳元素。本发明还公开了该晶体的 制备方法，包括如下步骤：将纯YAG晶体加工成YAG晶片，然后采用高纯碳作为蒸发源 对纯YAG晶片进行扩散渗碳处理，制得掺碳钇铝石榴石晶体。本发明采用高纯碳作为蒸发 源对纯YAG晶片进行扩散渗碳制备，能够避免制备过程中碳的挥发，该制备方法具有简单 高效的特点。本发明中的掺C的YAG晶体具有很高的热释光和光释光灵敏度，在热释光或 光释光剂量学领域有潜在应用价值。 |
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