| 专利名称 | 热释光或光释光剂量学晶体及其制备方法 | 申请号 | CN200910054968.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101603204 | 公开（授权）日 | 2009.12.16 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 李红军;杨新波;徐军;苏良碧 | 主分类号 | C30B29/28(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B29/28(2006.01)I;C30B11/00(2006.01)I | 专利有效期 | 热释光或光释光剂量学晶体及其制备方法 至热释光或光释光剂量学晶体及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明属于激光晶体领域，具体涉及一种热释光或光释光剂量学晶体及其制备方法。 本发明的热释光或光释光剂量学晶体为一种掺碳钇铝石榴石晶体。本发明还公开了该晶体 的制备方法，包括如下步骤：按配比将原料经混料、研磨和成型工艺制得晶体生长原料， 然后采用导向温梯法或下降法在还原气氛中生长。本发明的掺碳钇铝石榴石晶体具有更高 的热释光和光释光灵敏度，更宽的线性剂量响应范围，更好的热释光和光释光性能稳定性， 同时具有加工方便、晶体生长温度低，成本较低的优点。 |
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