| 专利名称 | 八水合偏硼酸锂非线性光学晶体及其制备方法和用途 | 申请号 | CN200910113384.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101603203 | 公开（授权）日 | 2009.12.16 | 申请（专利权）人 | 中国科学院新疆理化技术研究所 | 发明（设计）人 | 潘世烈;韩健;王智蓉 | 主分类号 | C30B29/22(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B29/22(2006.01)I;C30B7/00(2006.01)I;C30B7/08(2006.01)I;G02F1/355(2006.01)I | 专利有效期 | 八水合偏硼酸锂非线性光学晶体及其制备方法和用途 至八水合偏硼酸锂非线性光学晶体及其制备方法和用途 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种具有厘米级的大尺寸八水合偏硼酸锂非线性光 学晶体及制备方法和用途，该晶体分子式为：LiBO2·8H2O，属于三方 晶系，空间群为P3，分子量为193.87。采用水溶液法，在3-30天内， 通过缓慢挥发水分，得到晶体，选择质量较好的晶体作为籽晶，通过 程序降温或恒温的方法即可得到具有厘米级的大尺寸八水合偏硼酸 锂非线性光学晶体。该晶体非线性光学效应为KDP晶体的0.6倍， 紫外吸收边为190nm以下。该晶体生长过程具有操作简单，成本低， 所用的试剂为无机原料，毒性低，生长周期短，物化性质稳定等优点。 本发明的非线性光学晶体在倍频转换、光参量振荡器等非线性光学器 件中可以得到广泛应用。 |
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