| 专利名称 | 碳化硅单晶表面多级化学机械抛光方法 | 申请号 | CN200910053571.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101602185 | 公开（授权）日 | 2009.12.16 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 储耀卿;陈之战;施尔畏 | 主分类号 | B24B29/02(2006.01)I | IPC主分类号 | B24B29/02(2006.01)I;C09G1/02(2006.01)I | 专利有效期 | 碳化硅单晶表面多级化学机械抛光方法 至碳化硅单晶表面多级化学机械抛光方法 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本发明涉及碳化硅单晶表面多级化学机械抛光方法，属于晶体材 料加工技术领域。本发明对碳化硅单晶采用多级化学机械抛光、调控 不同pH值、抛光压力及转速，使得在保持低翘曲，低弯曲，高平整 度，厚度均匀性好的前提条件下，有效地降低了晶片的表面损伤，改 善了晶片表面粗糙度水平。 |
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