| 专利名称 | 一种基于NMOS晶体管的平衡-不平衡转换器 | 申请号 | CN200910303641.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101599752 | 公开（授权）日 | 2009.12.09 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 雷牡敏;张海英 | 主分类号 | H03H11/32(2006.01)I | IPC主分类号 | H03H11/32(2006.01)I;H03K19/0185(2006.01)I;H04B1/40(2006.01)I | 专利有效期 | 一种基于NMOS晶体管的平衡-不平衡转换器 至一种基于NMOS晶体管的平衡-不平衡转换器 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种基于NMOS晶体管的平衡-不平衡转换器，属于射频集成电路设计技术领 域。所述平衡不平衡转换器包括：一第一输入级，包括两个NMOS晶体管；一第二输入级， 包括两个NMOS晶体管；一个输出级，包括两个NMOS晶体管；一个耦合级，包括两个NMOS晶体 管，所述第一输入级和第二输入级分别通过所述耦合级与所述输出级相耦合；一个电流镜， 包括四个NMOS晶体管。本发明基于NMOS晶体管的平衡不平衡转换器具有以下两个优点，一 是可以与标准CMOS工艺兼容，成本低，功耗低，工作频率高，且易于集成；二是无需无源器 件，占用芯片面积小，且对器件参数不敏感，鲁棒性高。 |
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