| 专利名称 | 一种基于NMOS晶体管的90°移相器 | 申请号 | CN200910303640.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101599751 | 公开（授权）日 | 2009.12.09 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 雷牡敏;张海英 | 主分类号 | H03H11/18(2006.01)I | IPC主分类号 | H03H11/18(2006.01)I | 专利有效期 | 一种基于NMOS晶体管的90°移相器 至一种基于NMOS晶体管的90°移相器 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种基于NMOS晶体管的90°移相器，属于射频微波集成电路设计技术领域。 所述90°移相器由输入端、被并行驱动的第一二阶全通滤波器和第二二阶全通滤波器、第一 输出端和第二输出端构成；所述第一二阶全通滤波器包括两个串联相连的NMOS晶体管、电容 以及两个并联相连的电容和电阻；所述第二二阶全通滤波器包括两个串联相连的NMOS晶体管 、电容以及两个并联相连的电容和电阻。本发明基于NMOS晶体管的90°移相器用低成本、低 功耗的CMOS工艺，小面积实现宽带90°移相，并具有以下两个优点，一是没有传输损耗，能 通过有源元件调整其增益；二是与标准CMOS工艺兼容，成本低，功耗低，集成度高且工作频 带宽。 |
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