| 专利名称 | 一种内嵌多N岛P沟道超结器件及其制备方法 | 申请号 | CN201210076934.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102623345A | 公开（授权）日 | 2012.08.01 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 程新红;王中健;徐大伟;夏超;曹铎;贾婷婷;宋朝瑞;俞跃辉 | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/266(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 专利有效期 | 一种内嵌多N岛P沟道超结器件及其制备方法 至一种内嵌多N岛P沟道超结器件及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种内嵌多N岛P沟道超结器件及其制备方法，所述的内嵌多N岛P沟道超结器件包括：半导体衬底，形成在所述半导体衬底上的P型漂移区，位于所述P型漂移区一侧的N型体区，以及位于所述P型漂移区另一侧上的P型漏区，其中，所述P型漂移区中形成有多个互相间隔且平行排列的岛状N区，且各该岛状N区由P型源区朝P型漏区方向线性变小，由于在高压下衬底辅助耗尽效应作用从源端到漏端依次增强，因此岛状N区相应地从源端到漏端方向上由大变小，以实现和衬底辅助耗尽效应作用互补抵消，最终达到电荷平衡的目的。 |
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