| 专利名称 | 一种扫描电镜放大倍率校准标准样品的制作方法 | 申请号 | CN200910303914.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101598645 | 公开（授权）日 | 2009.12.09 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 赵珉;陈宝钦;刘明;牛洁斌 | 主分类号 | G01N1/28(2006.01)I | IPC主分类号 | G01N1/28(2006.01)I;G01N1/32(2006.01)I;G01N23/225(2006.01)I | 专利有效期 | 一种扫描电镜放大倍率校准标准样品的制作方法 至一种扫描电镜放大倍率校准标准样品的制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种扫描电镜放大倍率校准标准样品的制作方法，属于纳米图案加工技术 领域。所述方法包括：将硅衬底表面进行处理，并在硅衬底上涂覆电子束光刻抗蚀剂；将涂 覆有电子束光刻抗蚀剂的硅衬底进行烘烤；对烘烤后的硅衬底进行单线曝光模式下的电子束 直写曝光；对电子束直写曝光后的硅衬底进行显影、定影、干燥及退火处理，并在处理后的 硅衬底表面覆盖金属薄膜，形成扫描电镜放大倍率校准标准样品。本发明避免了等离子体刻 蚀工艺带来的图形质量下降，有利于高分辨率密集线图形结构的制作，有利于电子束曝光极 限分辨率的实现。 |
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