| 专利名称 | 共掺杂改性硼酸钆锂闪烁晶体及其制备方法 | 申请号 | CN200910054214.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101597798 | 公开（授权）日 | 2009.12.09 | 申请（专利权）人 | 上海硅酸盐研究所中试基地;中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 潘尚可;杨帆;任国浩;丁栋舟;陆晟;张卫东 | 主分类号 | C30B29/22(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B29/22(2006.01)I;C30B15/00(2006.01)I | 专利有效期 | 共掺杂改性硼酸钆锂闪烁晶体及其制备方法 至共掺杂改性硼酸钆锂闪烁晶体及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明属于闪烁晶体材料领域，具体涉及一种共掺杂改性硼酸钆锂闪烁晶体及其制备 方法，该共掺杂改性硼酸钆锂闪烁晶体的化学式为：Li6CexNyGd1-x-yB3O9-δ/2Mδ，其中，M选 自以下元素中的一种或两种：F、Cl、Br和I；N选自以下元素中的一种或两种：Sc、Y、 La和Lu；所述Li元素、Gd元素和B元素中的至少一种以特殊同位素的形式存在；其中0 ＜x≤0.2，0≤y＜1，0≤δ≤0.1，且y和δ不同时为0，其制备方法为：原料经过混合、固 相合成、化料，在单晶生长炉中通过提拉法生长制备成单晶形态。本发明共掺杂改性硼酸 钆锂闪烁晶体以Ce3+离子为发光中心，锂、钆和硼元素是以锂-6、钆-155、钆-157或硼-10 同位素的一种或其组合的形式存在，起到与被探测中子产生核反应的作用。 |
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