| 专利名称 | 集成多种电阻转换存储模块的芯片及其制造方法 | 申请号 | CN200910053998.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101593765 | 公开（授权）日 | 2009.12.02 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 张挺;宋志棠;顾怡峰;刘波;张复雄;向阳辉;封松林;陈邦明 | 主分类号 | H01L27/24(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L27/24(2006.01)I;H01L21/82(2006.01)I;G11C11/56(2006.01)I | 专利有效期 | 集成多种电阻转换存储模块的芯片及其制造方法 至集成多种电阻转换存储模块的芯片及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种集成多种电阻转换存储模块的存储芯片，在单一的存储芯片内，集成 有多个的存储模块，这些电阻转换存储模块具备不同的编程功耗、不同的编程速率以及不 同的数据保持能力等。在存储器，特别是嵌入式存储器的使用过程中，充分发挥各种性能 不同存储模块的优势：对于速度要求较高的数据采用高速模块进行存储，对于长时间保存 的数据采用较高数据保持能力的模块进行存储，对于经常读写的数据采用低功耗高疲劳特 性的模块进行存储。 |
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