| 专利名称 | GSMBE制备Ⅲ-Ⅴ化合物半导体纳米管结构材料的方法 | 申请号 | CN200910054392.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101591811 | 公开（授权）日 | 2009.12.02 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 艾立鹍;徐安怀;孙浩;齐鸣;朱福英 | 主分类号 | C30B29/40(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B29/40(2006.01)I;C30B25/02(2006.01)I;H01L21/205(2006.01)I | 专利有效期 | GSMBE制备Ⅲ-Ⅴ化合物半导体纳米管结构材料的方法 至GSMBE制备Ⅲ-Ⅴ化合物半导体纳米管结构材料的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种GSMBE制备III-V化合物半导体纳米管结构材料的方法，包括：在 GSMBE系统中，对衬底进行预处理；将砷烷裂解得到As2用作As源，调节气源炉AsH3 压力PV为450～700Torr，并控制各分子束流强度；然后将衬底传递至GSMBE的生长室进 行外延生长；通过半导体刻蚀工艺制作图形，经腐蚀后制作成III-V族化合物半导体纳米 管结构材料。该III-V族化合物半导体材料体系选择余地大，来源方便，并且可以对纳米 管内外壁材料进行掺杂；制备方法操作简单，成本低，适合大规模生产。 |
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