| 专利名称 | 一种湿法腐蚀制作集成压阻SiO2悬臂梁的方法 | 申请号 | CN200910053221.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101590997 | 公开（授权）日 | 2009.12.02 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 李昕欣;陈滢;杨永亮 | 主分类号 | B81C1/00(2006.01)I | IPC主分类号 | B81C1/00(2006.01)I;C23F1/40(2006.01)I | 专利有效期 | 一种湿法腐蚀制作集成压阻SiO2悬臂梁的方法 至一种湿法腐蚀制作集成压阻SiO2悬臂梁的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种使用湿法腐蚀在硅片单面低成本制作集成压阻二氧化硅 悬臂梁的方法，属于硅微机械制造技术领域。具体特征是使用四甲基氢氧化 铵水溶液通过各向异性腐蚀释放二氧化硅悬臂梁结构，并且使用钛金铬三层 复合金属作为引线，与硅压阻形成良好的欧姆接触，同时兼容湿法腐蚀以及 后期的化学敏感修饰。本发明的特点是制作工艺成本低廉、节约时间、成品 率高、可批量生产且便于和压敏电阻集成。 |
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