| 专利名称 | 一种单模大功率低发散角的光子晶体垂直腔面发射激光器 | 申请号 | CN200810112207.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101588017 | 公开（授权）日 | 2009.11.25 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 郑婉华;刘安金;王科;渠宏伟;邢名欣;陈微;周文君 | 主分类号 | H01S5/183(2006.01)I | IPC主分类号 | H01S5/183(2006.01)I | 专利有效期 | 一种单模大功率低发散角的光子晶体垂直腔面发射激光器 至一种单模大功率低发散角的光子晶体垂直腔面发射激光器 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及半导体光电子器件技术领域，公开了一种单模大功率 低发散角的光子晶体垂直腔面发射激光器，该光子晶体垂直腔面发射 激光器由下至上依次由下电极、n型衬底、下DBR、有源层、氧化层、 面刻光子晶体图形的缺陷腔结构、环形出光区的上DBR、p型盖层和 上环形电极构成。其中，该光子晶体垂直腔面发射激光器的上DBR表 面的光子晶体区为高损耗区和耦合区，环形区和缺陷区为光输出区域； 该光子晶体垂直腔面发射激光器的电极蒸镀在上DBR的p型盖层的表 面和n型衬底的下表面。利用本发明，既提高了单模输出功率，又抑 制了发散角。 |
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