| 专利名称 | 一种相变纳米晶体管单元器件及其制作方法 | 申请号 | CN200810037819.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101587905 | 公开（授权）日 | 2009.11.25 | 申请（专利权）人 | 上海市纳米科技与产业发展促进中心;中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 周伟民;宋志棠;钮晓鸣;刘彦伯;闵国全;李小丽;万永中;张静;封松林 | 主分类号 | H01L27/24(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L27/24(2006.01)I;H01L21/822(2006.01)I;G11C11/56(2006.01)I;G11C16/02(2006.01)I | 专利有效期 | 一种相变纳米晶体管单元器件及其制作方法 至一种相变纳米晶体管单元器件及其制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明是关于纳米同轴环绕栅晶体管相变存储器单元器件及其纳米加工方 法。其特征在于：与传统薄膜场效应晶体管(MOSFET)不同的是，在柱(线) 状的相变材料周围沉积结缘层后再制作环绕栅，即为同轴环绕栅，作为晶体管 的栅极，在柱(线)状相变材料的两端制作源极和漏极。这样的结构即为纳米 同轴环绕栅相变存储器(Coaxial Surrounding Gate phase change memory-CSGPCM)。本发明的显著特点是采用纳米同轴环绕栅作为栅极，来调 节相变材料沟道电流，实现相变存储和晶体管特性，极大地提高集成密度，从 而实现了低压、低功耗的相变存储功能。 |
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