| 专利名称 | 一种PDMS微流控芯片中通孔结构的制作方法 | 申请号 | CN200910053593.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101585507 | 公开（授权）日 | 2009.11.25 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 李刚;陈强;李俊君;赵建龙 | 主分类号 | B81C5/00(2006.01)I | IPC主分类号 | B81C5/00(2006.01)I;B81C3/00(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I | 专利有效期 | 一种PDMS微流控芯片中通孔结构的制作方法 至一种PDMS微流控芯片中通孔结构的制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种PDMS微流控芯片中通孔结构的制作方法，其特征在 于利用磁性力的辅助，将微柱或微管固定于芯片模具上拟制作通孔结构的位 置，然后通过整体浇注PDMS预聚物，并固化键合，制作出具有高深宽比通 孔结构的PDMS微流控芯片。本发明提供的微流控芯片成形与通孔制作一次 完成，简化了微流控芯片制作工艺，而且通过微柱或微管与芯片模具固定， 实施整体浇注，提高了通孔制作的精确度，保证了通孔形状的规整性，避免 了形成通孔孔形不规则、损坏微管道结构等问题。另外，微磁柱排布利用预 制模具镶嵌固定，还可以提高通孔制作密度，实现批量化加工制作。 |
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