| 专利名称 | 掺杂改性的相变材料及含该材料的相变存储器单元及其制备方法 | 申请号 | CN200910053119.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101582485 | 公开（授权）日 | 2009.11.18 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 刘波;宋志棠;张挺;封松林 | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L45/00(2006.01)I;G11C11/56(2006.01)I | 专利有效期 | 掺杂改性的相变材料及含该材料的相变存储器单元及其制备方法 至掺杂改性的相变材料及含该材料的相变存储器单元及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种掺杂改性的相变材料及含该材料的相变存储器单元及其制 备方法。该掺杂改性的相变材料的组成表达式为(Sb2Se3)100-xYx，其中x是指元素 的原子百分比，且满足：0＜x≤20，Y代表掺杂的元素，包括Ni、Cr、Bi、As、Ga、 In、Ge、Si、Sn、Ag、Al、C、N或O中任一种。该掺杂改性的(Sb2Se3)100-xYx存储 材料不仅保留了Sb2Se3存储材料的相变速度快、熔点低等优点，而且结晶温度得 到提高，从而克服了Sb2Se3存储材料数据保持力差的缺点。包含该(Sb2Se3)100-xYx 存储材料的相变存储器具有高速、低功耗、良好数据保持力等优越性。 |
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