| 专利名称 | 金属铌剩余电阻率测量装置和测量方法 | 申请号 | CN200910084296.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101581743 | 公开（授权）日 | 2009.11.18 | 申请（专利权）人 | 中国科学院电工研究所 | 发明（设计）人 | 朱志芹 | 主分类号 | G01R27/02(2006.01)I | IPC主分类号 | G01R27/02(2006.01)I | 专利有效期 | 金属铌剩余电阻率测量装置和测量方法 至金属铌剩余电阻率测量装置和测量方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种测量金属铌剩余电阻率的装置，包括样品测试杆(4)、低温杜瓦(3)、直流电流 源(6)、通道转换器(5)、电压放大器(7)、电压测量仪表(8)、电流测量仪表(9)、电脑 采集处理系统(10)。金属铌样品(1)装在样品架(11)上，温度传感器(2)粘在样品测 试杆(4)下端，连接在金属铌样品(1)上的电压引线和电流引线从样品测试杆(4)的上 端空心杆(12)内引出，与电压测量仪表(8)、电流测量仪表(9)相接。测量时，将装有 金属铌样品(1)的样品测试杆(4)慢慢插入低温杜瓦(3)中。测量金属铌在进入超导状 态前9.3K时的瞬间的电压值，计算金属铌9.3K时的电阻率值，再换算出金属铌的剩余电阻 率。 |
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