| 专利名称 | IGBT器件及其制作方法 | 申请号 | CN201110175569.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102856193A | 公开（授权）日 | 2013.01.02 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 吴振兴;朱阳军;卢烁今;孙宝刚 | 主分类号 | H01L21/331(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/331(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/739(2006.01)I | 专利有效期 | IGBT器件及其制作方法 至IGBT器件及其制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明实施例公开了一种IGBT器件及其制作方法，该方法包括：提供基底，所述基底包括本体层、位于本体层表面内的阱区和源区以及位于本体层表面上的第一栅介质层和栅区；去除部分阱区和源区材料，保留栅区下方的源区材料和部分栅区之外的源区材料，以在本体层表面内形成一浅沟槽；在浅沟槽下方的阱区表面内形成掺杂区，掺杂区的横向宽度未深入到栅区下方的沟道区，且掺杂区的掺杂浓度大于阱区的掺杂浓度。本发明实施例在器件的阱区内形成高掺杂浓度的浅结，并且减小了掺杂区与源区的接触面积，从而降低了源区与阱区接触面的接触电阻，避免了闩锁效应，且由于浅结并未扩散到沟道处，保证了该IGBT器件具有较低的阈值电压，改善了器件的性能。 |
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