| 专利名称 | 一种实现多级存储的存储器单元结构及其制作方法 | 申请号 | CN200910053039.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101572291 | 公开（授权）日 | 2009.11.04 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 吴良才;宋志棠 | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L45/00(2006.01)I | 专利有效期 | 一种实现多级存储的存储器单元结构及其制作方法 至一种实现多级存储的存储器单元结构及其制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提出一种实现多级存储的存储器单元结构及其制作方法。其特征 在于所述的存储器单元结构由顶电极、多级存储介质(由相变材料和具有阻 变特性的金属氧化物塞，如WOx塞形成的堆栈结构)、阻变氧化物塞、底电 极、衬底、绝缘介质等组成。其中，相变材料是可以发生可逆相变的化合物 材料，如Ge-Sb-Te等，WOx塞是通过钨塞的氧化形成，在电场作用下(电 脉冲)可以发生阻值变化，通过Ge-Sb-Te和WOx塞的多级阻值变化实现多 级存储，从而提高单个存储单元的容量。 |
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