| 专利名称 | 柱状纳米加热电极的制备方法 | 申请号 | CN200910052406.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101572290 | 公开（授权）日 | 2009.11.04 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 冯高明;宋志棠;刘波;封松林;万旭东;吴关平 | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L45/00(2006.01)I;G03F1/14(2006.01)I | 专利有效期 | 柱状纳米加热电极的制备方法 至柱状纳米加热电极的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种柱状纳米加热电极的制备方法，首先在衬底上沉积一层厚度 为100nm～300nm的TiN薄膜，利用亚微米CMOS标准工艺曝光技术在TiN薄膜 上形成直径为200nm～300nm的光刻胶图形，接着利用反应离子刻蚀技术中O2 气体修整光刻胶的形貌，将光刻胶图形尺寸缩小到直径为40nm～100nm左右， 利用等离子刻蚀的技术刻蚀TiN薄膜，最后清洗光刻胶得到40nm～100nm的柱 状纳米加热电极。本发明不仅避免了直接使用100nm以下曝光技术的困难，降低 了制造成本，更重要的是降低了相变存储器的操作电流和功耗。本发明不仅适用 于制备相变存储器的小尺寸纳米加热电极，同样适用于制备其他电子器件特别是 纳电子器件所需的纳米电极，具有很大的应用价值。 |
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