| 专利名称 | 一种半导体结构及其制造方法 | 申请号 | CN201110175568.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102856198A | 公开（授权）日 | 2013.01.02 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所;北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 发明（设计）人 | 尹海洲;朱慧珑;骆志炯 | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I | 专利有效期 | 一种半导体结构及其制造方法 至一种半导体结构及其制造方法 | 法律状态 | 公开 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种半导体结构的制造方法，该方法包括：提供SOI衬底，并在所述SOI衬底上形成栅极结构；刻蚀所述栅极结构两侧的所述SOI衬底的SOI层和BOX层，以形成暴露所述BOX层的沟槽，该沟槽部分进入所述BOX层；在所述沟槽的侧壁形成侧墙；在所述沟槽内形成覆盖所述侧墙的金属层，该金属层与所述栅极结构下方的所述SOI层相接触。相应地，本发明还提供一种使用上述方法形成的半导体结构。本发明提供的制造方法和半导体结构使得半导体器件在工作时金属层与SOI衬底的体硅层之间的电容减小，有利于提升半导体器件的性能。 |
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