| 专利名称 | n型半导体器件及其制造方法 | 申请号 | CN201110183594.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102856377A | 公开（授权）日 | 2013.01.02 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 许高博;徐秋霞 | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/49(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 专利有效期 | n型半导体器件及其制造方法 至n型半导体器件及其制造方法 | 法律状态 | 著录事项变更 | 说明书摘要 | 本申请公开了一种n型半导体器件及其制造方法。该器件的结构包括：半导体衬底；沟道区，位于所述半导体衬底上；栅堆叠，位于所述沟道区上，所述栅堆叠包括栅介质层和栅电极，所述栅介质层位于所述沟道区上，所述栅电极位于栅介质层上；源/漏区，位于所述沟道区两侧且嵌入所述半导体衬底中；其中，在所述栅介质层的上表面、下表面、以及所述栅电极的下表面中至少一个表面分布有Hf、La、Er、Y或Ta中的一种或多种的组合。本发明的实施例适用于MOSFET的制造。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障