| 专利名称 | 一种适用于PVT法生长SiC晶体系统的测温结构 | 申请号 | CN201220188163.3 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN202643905U | 公开（授权）日 | 2013.01.02 | 申请（专利权）人 | 上海硅酸盐研究所中试基地;中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 孔海宽;忻隽;陈建军;严成锋;刘熙;肖兵;杨建华;施尔畏 | 主分类号 | C30B23/00(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B23/00(2006.01)I | 专利有效期 | 一种适用于PVT法生长SiC晶体系统的测温结构 至一种适用于PVT法生长SiC晶体系统的测温结构 | 法律状态 | 说明书摘要 | 本实用新型公开一种适用于PVT法生长SiC晶体系统的测温结构，所述系统具有用坩埚围成的晶体生长用晶体生长室，配置于生长室室内顶部的籽晶托，和在所述晶体生长室外围的保温层；所述的测温结构包括设置于生长室顶部的籽晶托上方的保温层上并能够通过其利用高温红外测温计测量晶体生长室内温度的开孔；以及插通所述开孔形成于籽晶托上的测温管。本实用新型的测温结构可以在晶体生长过程中准确测量坩埚顶部温度，从而实现精确控温，并且避免测温孔堵塞导致的温度梯度变化，提高晶体生长的成品率。 |
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